Tranzystor polowy MOSFET STP10NK60ZFP 10A 600V TO220 THT

Tranzystor polowy MOSFET STP10NK60ZFP 10A 600V w obudowie TO220

STP10NK60ZFP to tranzystor polowy MOSFET z kanałem N, zaprojektowany do przełączania prądu w układach, w których liczy się wysokie napięcie blokowania. Przy prądzie 10A i napięciu 600V sprawdza się tam, gdzie zwykłe tranzystory bipolarne są za słabe lub zbyt powolne. Obudowa TO220 w wersji do montażu THT pozwala wlutować element w otwory płytki i łatwo go odprowadzić na radiator.

Tranzystory polowe sterowane napięciem na bramce nie pobierają dużego prądu sterującego, dzięki czemu układ sterujący może być prosty. Konstrukcja z serii SuperMESH pozwala ograniczyć straty przy przełączaniu, co przekłada się na mniejsze nagrzewanie się elementu w pracy. Wersja oznaczona literami FP ma izolowany kołnierz obudowy, więc można ją montować na radiatorze bez dodatkowej izolacji, a sama obudowa pozostaje odseparowana od elektrycznego obwodu.

Dla projektanta oznacza to element, który łatwo zintegrować z istniejącym schematem, bez konieczności przeprojektowywania całego układu. Tranzystor dobrze współpracuje z typowymi sterownikami bramki i nadaje się do pracy w obwodach zasilania impulsowego, gdzie napięcia szczytowe sięgają wartości bliskich granicy 600V.

Przykłady zastosowań

• Kluczowanie w zasilaczach impulsowych (SMPS) po stronie pierwotnej, gdzie wymagane jest napięcie blokowania 600V.
• Przetwornice DC-DC i układy korekcji współczynnika mocy (PFC) w urządzeniach o podwyższonym napięciu wejściowym.
• Sterowanie obciążeniami indukcyjnymi i sterowniki mocy w projektach elektroniki przemysłowej i DIY.

Dla kogo?

Tranzystor skierowany jest do elektroników, instalatorów i serwisantów zasilaczy oraz do hobbystów budujących własne urządzenia mocy. Wymaga podstawowej wiedzy o sterowaniu tranzystorami MOSFET, w tym o zabezpieczeniu bramki i odprowadzaniu ciepła, ale dla osób z doświadczeniem w elektronice mocy jest to standardowy, łatwy w użyciu element.

Specyfikacja techniczna

• Typ tranzystora: polowy (MOSFET), kanał N
• Montaż tranzystora: THT
• Obudowa tranzystora: TO220
• Prąd: 10A
• Napięcie maksymalne: 600V