Tranzystor TK13A65D N-MOSFET 13A 650V 0,47Ω TO-220AB

Tranzystor mocy N-MOSFET do wysokowoltowych aplikacji

TK13A65D to tranzystor polowy N-MOSFET przeznaczony do sterowania i przełączania obwodów zasilających. Maksymalne napięcie drain-source wynosi 650V, co pozwala pracować w zasilaczy impulsowych, sterownikach silników i konwerterach napięcia operujących na wyższych napięciach. Zdolność przenoszenia prądu 13A przy niskiej rezystancji kanału 0,47Ω zapewnia małe straty mocy i efektywne wydzielanie ciepła.

Struktura N-kanałowa oznacza szybkie włączanie i wyłączanie, idealne dla aplikacji wymagających wysokiej częstotliwości przełączania. Obudowa TO-220AB z trzema wyprowadzeniami (gate, drain, source) to standard w profesjonalnych i hobbystycznych projektach elektronicznych. Materiał krzemowy (Si) i certyfikacja RoHS gwarantują niezawodność i zgodność z normami środowiskowymi.

Przykłady zastosowań

• Zasilacze impulsowe i konwertery napięcia (buck, boost, forward)
• Sterowniki silników DC i krokowych
• Regulatory przełączające i regulatory mocy
• Obwody przełączające w urządzeniach audio i przemysłowych

Dla kogo?

Tranzystor adresowany do inżynierów, techników serwisowych i zaawansowanych hobbystów zajmujących się projektowaniem i naprawą zasilaczy oraz sterowników. Wymaga podstawowej wiedzy o elektronice mocy i właściwego montażu radiatora dla bezpiecznej pracy. Nie jest produktem dla początkujących bez doświadczenia z wysokowoltażowymi obwodami.

Specyfikacja techniczna

• Typ: Tranzystor polowy N-MOSFET (N-CHANNEL)
• Model/Symbol: TK13A65D
• Maksymalne napięcie drain-source (VDS): 650V
• Maksymalny prąd drain (ID): 13A
• Rezystancja kanału (RDS(on)): 0,47Ω
• Materiał: Krzem (Si)
• Klasa: Tranzystor mocy (Power MOSFET)
• Obudowa: TO-220AB
• Liczba wyprowadzeń: 3 (Gate, Drain, Source)
• Oznaczenia alternatywne: SC-67, TO-220SIS, 2-10U1S
• Normy: RoHS Compliant

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.