Tranzystor STP80NF12 N-MOSFET 80A 120V 300W TO-220

Tranzystor mocy N-MOSFET STP80NF12 — przełączanie dużych prądów

STP80NF12 to tranzystor polowy typu N-MOSFET przeznaczony do pracy w obwodach przełączających i impulsowych, gdzie trzeba obsługiwać duże prądy przy stosunkowo niskim napięciu sterowania bramki. Maksymalny prąd drenu to 80A (w warunkach chwilowych do 320A), a napięcie — 120V. Moc rozpraszana na tranzystorze osiąga 300W, dlatego wymaga montażu na radiatorze.

Tranzystor pracuje w trybie cyfrowym — albo pełni przewodzenie (ON), albo całkowicie blokuje (OFF) — bez stanów pośrednich. To oznacza minimalne straty energii w stosunku do analogowych regulatorów liniowych. Bramka sterująca wymaga napięcia około 10V dla pełnego otwarcia; przy 5V tranzystor jest już znacznie otwarty, co czyni go kompatybilnym z logika TTL i CMOS.

Obudowa TO-220 z trzema wyprowadzeniami (Drain, Gate, Source) jest standardem branżowym — łatwa do montażu na radiator za pomocą śruby M3 i izolacyjnego kompletu (podkładka mikowa, tulejka, śruba). Duża powierzchnia kontaktu termicznego minimalizuje opór cieplny między krystałem a radiatorem.

Przykłady zastosowań

STP80NF12 sprawdzi się wszędzie tam, gdzie trzeba szybko przełączać dużą moc przy niskim napięciu sterowania:

• Sterowniki silników prądu stałego — zasilanie 12V/24V, prąd do kilkudziesięciu amperów
• Regulatory mocy (PWM) do lamp LED, grzałek, urządzeń autonomicznych
• Przetwornice DC-DC (buck, boost) — przełączanie w częstotliwości kilkudziesięciu kHz
• Urządzenia zasilane z baterii — wysokie napięcie blokujące i niska strata ciepła
• Obwody ochronne i sygnalizacyjne wymagające przełączania dużych obciążeń
• Projekty robotyki i automatyki — sterowanie silnikami krokowych, serwomechanizmów

Dla kogo?

STP80NF12 to produkt dla elektroników i inżynierów zajmujących się sterowaniem mocą — zarówno profesjonalistów (serwisy, projektanci, producenci urządzeń) jak i hobbyistów zaawansowanych. Wymaga znajomości podstaw elektroniki — nieprawidłowe użycie bez rezystora bramki lub ochrony termicznej może doprowadzić do uszkodzenia tranzystora lub urządzenia. Nie polecamy dla początkujących bez doświadczenia w pracy z tranzystorami mocy.

Specyfikacja techniczna

• Typ: N-MOSFET, tranzystor polowy
• Model: STP80NF12
• Maksymalne napięcie Drain-Source (V_DS): 120V
• Maksymalny prąd drenu (I_D): 80A (ciągły)
• Prąd drenu w warunkach chwilowych: 320A
• Maksymalna moc rozpraszana: 300W
• Obudowa: TO-220
• Liczba wyprowadzeń: 3 (Drain, Gate, Source)
• Napięcie progowe bramki (V_GS): typowo 2-4V
• Rezystancja ON-state (R_DS_on): typowo 22 mΩ (przy V_GS = 10V)

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.