Tranzystor STP4NK60Z N-MOSFET 600V 4A TO-220

Tranzystor MOSFET kanału N do aplikacji wysokonapięciowych

STP4NK60Z to tranzystor MOSFET typu N-channel z dużym napięciem przebicia 600V, dedykowany do sterowników silników, zasilaczy impulsowych, przetwornic napięcia i innych aplikacji wymagających pracy w wysokonapięciowych obwodach. Obudowa TO-220 zapewnia dobry odprowadzanie ciepła, co pozwala na pracę w warunkach wymagających wyższych prądów.

Tranzystor charakteryzuje się niską rezystancją kanału (1,5Ω), która minimalizuje straty energii i ciepło wydzielane podczas pracy. Maksymalny prąd drenu 4A pozwala na sterowanie obciążeniami o umiarkowanej mocy bez konieczności stosowania dodatkowych wzmacniaczy. Parametry elektryczne tego tranzystora sprawiają, że sprawdza się zarówno w aplikacjach przemysłowych, jak i w urządzeniach zasilanych z baterii lub zasilaczy impulsowych.

Łącze bramki ma niskie pojemności wejściowe i wyjściowe, co ułatwia szybkie przełączanie bez skomplikowanych obwodów sterowania. Wbudowana dioda parazytyczna zapewnia naturalną ochronę przed przepięciami indukowanymi w obwodach indukcyjnych.

Przykłady zastosowań

STP4NK60Z sprawdzi się w sterownikach silników DC, gdzie wymaga się szybkiego przełączania i wysokiego napięcia zasilania. Szeroko stosowany jest w zasilaczach impulsowych, gdzie pełni rolę klucza przełączającego w topologiach typu buck, boost czy forward. Znajdzie zastosowanie także w przetwornicach napięcia pracujących w szerokim zakresie napięć wejściowych, regulatorach mocy grzejników elektrycznych oraz w systemach solarnych wymagających konwersji napięcia. Inżynierowie projektujący obwody zasilające LED wysokiej mocy lub sterowniki PWM dla silników krokowych mogą liczyć na niezawodność tego tranzystora w warunkach ciągłej pracy.

Dla kogo?

Produkt adresowany jest do inżynierów, techników i zaawansowanych hobbyistów zajmujących się elektroniką mocy. Wymaga wiedzy z zakresu elektroniki i umiejętności czytania schematów — nie jest przeznaczony dla początkujących bez doświadczenia w pracach z półprzewodnikami. Instalatorzy sterowników i serwisanci urządzeń zasilających znajdą w tym tranzystorze uniwersalny zamiennik do wielu aplikacji przemysłowych.

Specyfikacja techniczna

• Typ: MOSFET kanału N (N-MOSFET)
• Obudowa: TO-220
• Napięcie przebicia (BVDSS): 600V
• Maksymalny prąd drenu (ID): 4A
• Rezystancja kanału (RDS on): 1,5Ω
• Maksymalna moc rozpraszana: 30W (w warunkach nominalnych)
• Temperatura pracy: -55°C do +150°C
• Pojemność bramki (Cgs): typowo 1000pF

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.