Tranzystor STP4NA40FI MOSFET N-channel 40V 5A

Tranzystor MOSFET STP4NA40FI — przełącznik polowy do elektroniki mocy

Tranzystor STP4NA40FI to przełącznik polowy typu MOSFET z kanałem N, przeznaczony do szybkiego przełączania obwodów zasilanych napięciem do 40V. Obudowa plastic (THT — Through-Hole Technology) ułatwia montaż na płytkach stykowych i drukowanych, co czyni go popularnym wyborem zarówno dla konstruktorów DIY, jak i dla instalatorów systemów elektronicznych.

Maksymalny prąd drażeniowy 5A pozwala na sterowanie obciążeniami o umiarkowanej mocy — od małych silników DC, przez elektromagnesy, po lampy halogenowe i zasilacze. Niski opór przejścia (RDS on) minimalizuje stratę energii w postaci ciepła, co wydłuża żywotność tranzystora i zmniejsza potrzebę chłodzenia. Szybkie czasy przełączania sprawiają, że sprawdza się w obwodach PWM (modulacja szerokości impulsu) stosowanych w regulacji jasności LED, prędkości silników i zasilaczach impulsowych.

Tranzystor reaguje na niskie napięcie sterujące — wystarczy sygnał 5V z mikrokontrolera (Arduino, PIC, STM32) aby całkowicie otworzyć przejście. To czyni go idealnym mostkiem między logiką cyfrową a obwodami mocy. W porównaniu do tranzystorów bipolarnych (BJT) wymaga mniej prądu bramki, co zmniejsza obciążenie wyjścia cyfrowego kontrolera.

Przykłady zastosowań

Tranzystor STP4NA40FI sprawdza się w wielu typowych scenariuszach elektroniki amatorskiej i profesjonalnej:

• Sterowanie małymi silnikami DC 12V-24V z regulacją prędkości PWM
• Przełączanie obciążeń w systemach automatyki domowej (elektromagnesy, pompy, wentylatory)
• Regulatory mocy LED i lampy halogenowe do 40V
• Sterowniki ładowania baterii i regulatory napięcia
• Obwody PWM w zasilaczach impulsowych i przetworniach napięcia
• Części zamienne w urządzeniach elektronicznych i profesjonalnych instalacjach

Dla kogo?

Tranzystor STP4NA40FI to standard dla elektroników amatorskich, konstruktorów Arduino i serwisantów urządzeń elektronicznych. Nie wymaga specjalnej wiedzy — wystarczy podstawowa znajomość schematów elektronicznych i zasady sterowania bramką. Obudowa THT (drut przechodzący przez płytkę) ułatwia montaż ręczny zarówno na płytkach stykowych, jak i drukowanych. Część profesjonaliści stosują go w przemysłowych systemach sterowania ze względu na niezawodność i dostępność zamienników.

Specyfikacja techniczna

• Typ: MOSFET kanału N
• Obudowa: Plastic (TO-220 lub podobna THT)
• Maksymalne napięcie Drain-Source (VDS): 40V
• Maksymalny prąd drażeniowy (ID): 5A
• Moc rozpraszana (Ptot): zależy od chłodzenia, typowo 20-30W bez radiator
• Opór przejścia (RDS on): wartość typowa dla tego typu i klasy
• Napięcie progowe bramki (VGS th): około 2-4V
• Zastosowanie: przełączanie, regulacja mocy, sterowniki silników

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.