Tranzystor ROHM QSL12 NPN izolowany 30V 1A 320MHz 500mW SMD TSMT5

Tranzystor ROHM QSL12 NPN izolowany w obudowie SMD

QSL12 to tranzystor bipolarny NPN z wbudowaną diodą w wariancie izolowanym, wykonany w małej obudowie TSMT5 przeznaczonej do montażu powierzchniowego. Przy napięciu kolektor-emiter do 30V i prądzie kolektora do 1A nadaje się do pracy w układach elektronicznych, w których liczy się zarówno niewielki rozmiar, jak i pewne działanie przy typowych obciążeniach.

Maksymalna moc strat wynosi 500mW, a częstotliwość graniczna 320MHz, co pozwala stosować element w układach pracujących z sygnałami o wyższej częstotliwości. Wzmocnienie prądowe hFE wynosi minimum 270 przy prądzie kolektora 100mA i napięciu 2V, dzięki czemu niewielki prąd bazy wystarcza do sterowania obciążeniem. Napięcie nasycenia kolektor-emiter wynosi maksymalnie 350mV przy 25mA i 500mA, co ogranicza straty w stanie przewodzenia.

Prąd zerowy kolektora (ICBO) wynosi maksymalnie 100nA, a maksymalna temperatura złącza to 150°C. Obudowa SOT-23-5 Thin (TSOT-23-5), oznaczona u producenta jako TSMT5, jest kompatybilna z automatycznym montażem SMD.

Przykłady zastosowań

• Przełączanie i sterowanie obciążeniami o małej i średniej mocy w urządzeniach elektronicznych.
• Sterowanie diodami LED oraz małymi przekaźnikami sygnałem z mikrokontrolera lub innego układu logicznego.
• Stopnie wzmacniające w projektach elektronicznych i prototypach.
• Kompaktowe moduły, w których ograniczona powierzchnia płytki wymusza zastosowanie elementów SMD.

Dla kogo?

Tranzystor przeznaczony jest dla elektroników, projektantów układów i serwisantów pracujących przy płytkach drukowanych z montażem SMD. Wymaga podstawowej wiedzy o tranzystorach bipolarnych oraz umiejętności lutowania elementów SMD.

Specyfikacja techniczna

• Typ tranzystora: NPN + dioda (izolowany)
• Prąd kolektora (Ic) max: 1 A
• Napięcie kolektor-emiter (Vce) max: 30 V
• Napięcie nasycenia Vce max: 350 mV przy 25 mA, 500 mA
• Prąd zerowy kolektora (ICBO) max: 100 nA
• Wzmocnienie prądowe hFE min: 270 przy 100 mA, 2 V
• Moc max: 500 mW
• Częstotliwość graniczna (fT): 320 MHz
• Temperatura pracy (TJ): 150°C
• Montaż: powierzchniowy (SMD)
• Obudowa: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
• Obudowa producenta: TSMT5
• Producent: ROHM Semiconductor
• Numer katalogowy: QSL12

Produkt zostal wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spelnia dotychczasowe ogolne wymagania bezpieczenstwa. Jest zgodny z dyrektywa 2001/95/W.