Tranzystor MOSFET N onsemi/Fairchild FQP8N90C 900V 6,3A RDS(on) 1,9Ω

FQP8N90C — wysokonapięciowy tranzystor N-MOSFET do układów zasilania

Tranzystor MOSFET FQP8N90C onsemi / Fairchild to krzemowy element z pojedynczym kanałem N, który można rozważyć przy naprawie zasilacza impulsowego, projektowaniu przetwornicy lub budowie elektronicznego układu przełączającego. Dobór do konkretnego obwodu wymaga porównania parametrów z jego wymaganiami. Obudowa TO-220-3 jest przeznaczona do montażu przewlekanego THT, co ułatwia lutowanie w płytkach przygotowanych pod taki element. Napięcie przebicia dren–źródło wynosi 900 V, a podana rezystancja kanału w stanie przewodzenia RDS(on) to 1,9 Ω. Przy ocenie strat i chłodzenia należy uwzględnić warunki pracy — wartość mocy strat 171 W nie oznacza możliwości rozpraszania takiej mocy bez odpowiedniego odprowadzania ciepła. Tranzystor pracuje w trybie wzbogacanym, czyli wymaga sterowania bramką, aby otworzyć kanał. Podany próg bramka–źródło 3 V nie jest napięciem gwarantującym pełne wysterowanie; przy projektowaniu sterownika znaczenie ma również ładunek bramki 45 nC. Przed zakupem zamiennika sprawdź układ wyprowadzeń, wymagania sterowania i warunki pomiaru parametrów w dokumentacji producenta. Dane wejściowe zawierają rozbieżność prądu: nazwa produktu wskazuje 6,3 A, natomiast oba opisy podają ciągły prąd drenu 6 A. Nie należy traktować tych wartości jako zamiennych bez weryfikacji karty katalogowej.

Specyfikacja techniczna

• Symbol i seria: FQP8N90C
• Marka: onsemi / Fairchild
• Rodzina handlowa: QFET
• Typ elementu i kategoria: tranzystor MOSFET
• Materiał półprzewodnikowy: krzem (Si)
• Rodzaj kanału: N (N-Channel)
• Liczba kanałów: 1
• Konfiguracja: pojedynczy tranzystor (Single)
• Tryb pracy kanału: wzbogacany (Enhancement)
• Obudowa: TO-220-3
• Sposób montażu: przewlekany, THT (Through Hole)
• Napięcie przebicia dren–źródło VDS: 900 V
• Ciągły prąd drenu ID według opisów: 6 A
• Prąd wskazany w pierwotnej nazwie: 6,3 A — rozbieżność z opisami wymaga weryfikacji
• Rezystancja dren–źródło w stanie przewodzenia RDS(on): 1,9 Ω
• Napięcie bramka–źródło VGS: od −30 V do +30 V
• Napięcie progowe bramka–źródło VGS(th): 3 V
• Ładunek bramki Qg: 45 nC
• Minimalna temperatura pracy: −55°C
• Maksymalna temperatura pracy: +150°C
• Podana moc strat PD: 171 W
• Czas narastania: 110 ns
• Czas opadania: 70 ns
• Typowe opóźnienie włączenia: 40 ns
• Typowe opóźnienie wyłączenia: 70 ns
• Minimalna transkonduktancja przewodzenia: 5,5 S
• Wysokość: 16,3 mm
• Długość: 10,67 mm
• Szerokość: 4,7 mm
• Forma opakowania producenta: tuba (Tube)
• Liczebność opakowania producenta: 1000 sztuk — informacja o pakowaniu producenta, nie o liczbie elementów w ofercie sklepu

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.