Tranzystor IRFP3206 N-MOSFET 60V 230A TO-247

Tranzystor mocy N-MOSFET IRFP3206 — maksymalna wydajność w wysokoprądowych aplikacjach

IRFP3206 to profesjonalny tranzystor mocy od Infineon Technologies, zaprojektowany dla aplikacji wymagających przepustu dużych prądów przy zachowaniu wysokiej wydajności energetycznej. Maksymalne napięcie dren-źródło to 60V, a prąd drenu osiąga 230A, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla systemów zasilających, konwerterów DC-DC, sterowników silników elektrycznych i urządzeń energii odnawialnej.

Kluczową zaletą tego tranzystora jest ultra-niska rezystancja kanału wynoszące 3mΩ. Taka wartość oznacza, że w stanie przewodzenia tranzystor generuje minimalną ilość ciepła, co bezpośrednio przekłada się na wyższą wydajność całego systemu i mniejsze wymagania dotyczące chłodzenia. Moc rozpraszana do 280W pozwala na pracę z dużymi obciążeniami bez ryzyka uszkodzenia.

Tranzystor wykorzystuje technologię HEXFET® od Infineon, która gwarantuje szybkie czasy przełączania i stabilną pracę w szerokim zakresie temperatur. Napięcie bramka-źródło ±20V zapewnia bezpieczne sterowanie z typowymi obwodami bramkowania. Ładunek bramki wynoszący 120nC jest umiarkowany, co ułatwia projektowanie szybkich obwodów sterujących.

Typowe zastosowania

IRFP3206 sprawdzi się w systemach wymagających wysokiej sprawności energetycznej i zdolności do obsługi dużych prądów:

• Zasilacze impulsowe i przetwornice napięcia DC-DC o mocy kilkuset watów
• Sterowniki silników elektrycznych — od małych urządzeń mobilnych po przemysłowe napędy
• Falowniki sieciowe i systemy magazynowania energii (baterie słoneczne, magazyny energii)
• Ładowarki szybkie do urządzeń mobilnych i pojazdów elektrycznych
• Wzmacniacze mocy RF i przyrządy laboratoryjne

Dla kogo?

IRFP3206 jest przeznaczony dla inżynierów, projektantów obwodów elektronicznych, specjalistów w serwisach elektroniki zaawansowanej oraz dla osób zajmujących się budową zasilaczy i konwerterów mocy. Wymaga wiedzy technicznej — montaż wymaga odpowiedniego radiowania i projektowania obwodu bramkowania. Nie jest to produkt dla początkujących, ale dla osób mających doświadczenie z tranzystorami mocy.

Specyfikacja techniczna

• Producent: Infineon Technologies
• Typ tranzystora: N-MOSFET unipolarny
• Technologia: HEXFET®
• Napięcie dren-źródło (VDSS): 60V
• Prąd drenu (ID): 230A
• Moc rozpraszana: 280W
• Rezystancja w stanie przewodzenia (RDS-on): 3mΩ
• Napięcie bramka-źródło: ±20V
• Ładunek bramki (Qg): 120nC
• Rodzaj kanału: wzbogacany
• Obudowa: TO-247AC (THT)
• Rodzaj opakowania: tuba

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.