Tranzystor IRFB7440PBF N-MOSFET unipolarny 40V 208A TO220AB

Tranzystor N-MOSFET do aplikacji wysokoprądowych

IRFB7440PBF to tranzystor polowy typu N-MOSFET oparty na sprawdzonej technologii HEXFET® firmy International Rectifier. Dzięki zdolności przewodzenia prądu do 208 A przy napięciu maksymalnym 40 V, stanowi rozwiązanie dla inżynierów i konstruktorów szukających niezawodnego elementu do sterowników mocy i przetwornić napięcia. Niska rezystancja przewodzenia 2,5 mΩ to gwarancja minimalnych strat energii — ciepło wydzielane w tranzystorze zostaje ograniczone do niezbędnego minimum, co bezpośrednio przekłada się na wydajność całego układu i zmniejsza obciążenie systemu chłodzenia.

Tranzystor unipolarny (MOSFET) pracuje na zasadzie sterowania polem elektrycznym — wystarczy zmieniać napięcie bramka-źródło (do ±20V) aby przełączać prąd drenu. Dzięki temu jego sterowanie wymaga minimalnego prądu wejściowego, co ułatwia interfejsowanie z mikrokontroleramI i obwodami logiki cyfrowej. Ładunek bramki wynoszący 90 nC pozwala na szybkie przełączanie, ważne w aplikacjach PWM i falownikach.

Obudowa TO220AB z trzema wyprowadzeniami (dren, bramka, źródło) została zaprojektowana do montażu w otwory na płytce drukowanej z możliwością bezpośredniego przymocowania radiator­u. Dzięki temu projektant ma pełną kontrolę nad zarządzaniem ciepłem — przy wymaganej mocy rozpraszania 208 W właściwy radiator zapewni stabilną pracę nawet w ciągłych operacjach.

Przykłady zastosowań

IRFB7440PBF sprawdza się wszędzie tam, gdzie potrzebna jest precyzyjna kontrola dużych prądów przy niskich napięciach:

• Sterowniki silników DC i BLDC — regulacja prędkości i kierunku obrotu
• Przetwornice impulsowe (buck, boost, buck-boost) — konwersja napięcia ze stratami minimalnymi
• Zasilacze laboratoryjne o dużej mocy — stabilizacja wyjścia przy zmiennym obciążeniu
• Systemy zarządzania baterią (BMS) — łączenie i rozłączanie ogniw akumulatorowych
• Regulatory PWM do taśm LED i oświetlenia — sterowanie jasnością bez przesadnych strat
• Falowniki (invertery) — przetwarzanie DC na AC w systemach solarnych i awaryjnych

Dla kogo?

Produkt skierowany do doświadczonych konstruktorów, inżynierów, serwisantów urządzeń elektroniki mocy oraz hobbyistów zajmujących się zaawansowanymi projektami DIY. Wymaga znajomości podstaw elektroniki i bezpieczeństwa pracy z wysokimi prądami. Osoba montująca powinna dysponować wiedzą na temat obliczania i montowania radiatora do obudowy TO220AB.

Specyfikacja techniczna

• Typ tranzystora: N-MOSFET unipolarny
• Technologia: HEXFET®
• Napięcie dren-źródło (VDS): 40 V
• Prąd drenu (ID): 208 A
• Moc rozpraszana (Pd): 208 W
• Napięcie bramka-źródło (VGS): ±20 V
• Rezystancja przewodzenia (RDS on): 2,5 mΩ
• Ładunek bramki (Qg): 90 nC
• Obudowa: TO220AB
• Montaż: THT (montaż w otwory)

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.