Wyszukiwarka

Tranzystor IRF9530N P-MOSFET -100V -14A TO220AB

Dostępność: na wyczerpaniu

Wysyłka w: 48 godzin

Dostawa: sprawdź formy dostawy

Cena: 5,50 zł

Cena regularna:

5.50

ilość szt.

towar niedostępny

dodaj do przechowalni

Ocena:

Producent: Aksotronik tel.500 783 200

Kod produktu: 3656

zapytaj o produkt
poleć znajomemu
dodaj opinię

Opis

Tranzystor P-MOSFET do obwodów wysokonapięciowych IRF9530N

IRF9530N to tranzystor P-MOSFET z kanałem wzbogacanym przeznaczony do sterowania i przełączania obwodów pracujących przy ujemnych napięciach do -100V. Technologia HEXFET® zapewnia niską rezystancję w stanie przewodzenia (0,2Ω), co minimalizuje straty ciepła i zwiększa wydajność energetyczną. Maksymalny prąd drenu -14A oraz moc rozpraszana 79W pozycjonują ten tranzystor w aplikacjach wymagających solidnego sterowania przy średnich obciążeniach.

Napięcie bramka-źródło ±20V daje dużą swobodę w doborze sterowników logicznych. Niski ładunek bramki (38,7nC) ułatwia szybkie przełączanie, co zmniejsza czasy tranzycji i zmniejsza straty przełączające. Tranzystor pracuje zarówno w trybie przełączającym (PWM, regulacja), jak i analogowym (wzmacnianie, sterowanie prądem).

Obudowa TO220AB z montażem THT jest łatwa w lutowaniu na płytkach prototypowych i produkcyjnych. Odporny na przemiany termiczne, stabilny w szerokiej temperaturze pracy. Tranzystor wymagający radiator w aplikacjach o wysokiej mocy rozprasowywanej.

Przykłady zastosowań

Tranzystor sprawdzi się w:

Sterownikach zasilania dla obwodów ujemnego napięcia
Przełącznikach mocy w zasilaczach impulsowych i konwerterach
Regulatorach PWM do sterowania mocami i silnikami
Obwodach ochrony i ograniczania prądu
Wzmacniaczach audio i cyfrowych systemach sterowania

Dla kogo?

IRF9530N przeznaczony jest dla elektroników, inżynierów i konstruktorów zajmujących się projektowaniem obwodów mocy. Wymaga wiedzy w zakresie podstaw elektroniki — właściwego dobrania rezystancji bramki, radiator w zależności od mocy, oraz zrozumienia czasów przełączania. Hobbyści pracujący nad projektami DIY mogą go stosować pod warunkiem przestrzegania limitów elektrycznych i termicznych.

Specyfikacja techniczna

Typ tranzystora: P-MOSFET unipolarny
Technologia: HEXFET®
Napięcie dren-źródło: -100V
Prąd drenu: -14A
Moc rozpraszana: 79W
Napięcie bramka-źródło: ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia (RDS on): 0,2Ω
Ładunek bramki: 38,7nC
Obudowa: TO220AB
Montaż: THT (Through-Hole Technology)
Rodzaj kanału: wzbogacany
Opakowanie: tuba

Koszty dostawy Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności

Kraj wysyłki:

Opinie o produkcie (0)

Wyświetlane są wszystkie opinie (pozytywne i negatywne). Nie weryfikujemy, czy pochodzą one od klientów, którzy kupili dany produkt.

O nas

TORES to sklep elektroniczny działający od 1997 roku, oferujący szeroki wybór produktów z zakresu elektroniki, automatyki, RTV, akcesoriów komputerowych oraz elementów elektronicznych. W naszej ofercie znajdują się między innymi zasilacze, anteny, routery, komponenty elektroniczne, akumulatory, lutownice, przewody, urządzenia pomiarowe i akcesoria serwisowe.

Oferta skierowana jest zarówno do klientów indywidualnych, jak i firm, serwisów elektronicznych, instalatorów oraz pasjonatów elektroniki. Zapewniamy konkurencyjne ceny, szybką realizację zamówień oraz profesjonalne wsparcie przy doborze produktów.