Tranzystor IRF7389 N/P-MOSFET unipolar 30/-30V 7.3/-5.3A SO8 SMD

Dostępność: na wyczerpaniu

Wysyłka w: 48 godzin

Dostawa: sprawdź formy dostawy

Cena: 3,50 zł

Cena regularna:

3.50

ilość szt.

towar niedostępny

dodaj do przechowalni

Ocena:

Producent: -

Kod produktu: 27865

zapytaj o produkt
poleć znajomemu
dodaj opinię

Opis

Tranzystor IRF7389 N/P-MOSFET w obudowie SO8 do montażu SMD

IRF7389 to dwa tranzystory polowe MOSFET w jednej obudowie: kanał N i kanał P, czyli komplementarna para gotowa do pracy w prostych układach przełączających. Zamiast układać dwa osobne elementy na płytce, dostajesz gotowy zestaw w małej obudowie SO8 przeznaczonej do montażu powierzchniowego. Unipolarna budowa i technologia HEXFET zapewniają przewidywalne przełączanie, a napięcie dren-źródło do 30V (kanał N) i -30V (kanał P) określa zakres zastosowań.

W parametrach znajdziesz prąd drenu 7.3A dla kanału N i -5.3A dla kanału P, moc strat 2.5W oraz napięcie bramka-źródło ±20V. Rezystancja w stanie przewodzenia wynosi 29mΩ dla kanału N i 58mΩ dla kanału P, co przekłada się na mniejsze nagrzewanie się elementu przy przepływie prądu. Te wartości decydują o tym, czy tranzystor poradzi sobie z danym obciążeniem bez dodatkowego chłodzenia.

Przykłady zastosowań

Przełączanie obciążenia po stronie wysokiej i niskiej dzięki parze N i P w jednym układzie.
Mostki typu H do sterowania kierunkiem obrotów małych silników DC.
Kluczowanie zasilania poszczególnych modułów i sekcji w urządzeniach z zasilaniem bateryjnym.

Dla kogo?

Tranzystor jest przeznaczony przede wszystkim dla elektroników, projektantów układów i serwisantów, którzy dobierają elementy do własnych płytek lub napraw. Wymaga podstawowej wiedzy o MOSFET-ach i sterowaniu bramką, ponieważ parametry trzeba dopasować do konkretnego układu. Doświadczony hobbysta z umiejętnością lutowania elementów SMD również znajdzie tu zastosowanie.

Specyfikacja techniczna

Typ: N/P-MOSFET
Polaryzacja: unipolarna
Technologia: HEXFET
Napięcie dren-źródło: 30/-30V
Prąd drenu: 7.3/-5.3A
Moc strat: 2.5W
Napięcie bramka-źródło: ±20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 29/58mΩ
Obudowa: SO8
Montaż: SMD

Produkt zostal wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spelnia dotychczasowe ogolne wymagania bezpieczenstwa. Jest zgodny z dyrektywa 2001/95/W.

Koszty dostawy Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności

Kraj wysyłki:

Opinie o produkcie (0)

Wyświetlane są wszystkie opinie (pozytywne i negatywne). Nie weryfikujemy, czy pochodzą one od klientów, którzy kupili dany produkt.

O nas

TORES to sklep elektroniczny działający od 1997 roku, oferujący szeroki wybór produktów z zakresu elektroniki, automatyki, RTV, akcesoriów komputerowych oraz elementów elektronicznych. W naszej ofercie znajdują się między innymi zasilacze, anteny, routery, komponenty elektroniczne, akumulatory, lutownice, przewody, urządzenia pomiarowe i akcesoria serwisowe.

Oferta skierowana jest zarówno do klientów indywidualnych, jak i firm, serwisów elektronicznych, instalatorów oraz pasjonatów elektroniki. Zapewniamy konkurencyjne ceny, szybką realizację zamówień oraz profesjonalne wsparcie przy doborze produktów.