Tranzystor FQP4N90C N-MOSFET 900V 2,3A 140W TO220AB

Tranzystor N-MOSFET wysokonapięciowy FQP4N90C

FQP4N90C to tranzystor unipolarny typu N-MOSFET opracowany przez ON Semiconductor w technologii QFET®, dedykowany do aplikacji wymagających pracy w wysokich napięciach. Napięcie przebicia dren-źródło wynosi 900V, co pozwala na zastosowanie go w zasilaczach pracujących bezpośrednio z napięciem sieciowym bez konieczności użycia większości transformatorów wstępnych. Prąd drenu na poziomie 2,3A przy rezystancji przewodzenia 4,2Ω gwarantuje sprawną pracę ze stosunkowo niskimi stratami ciepła dla tego zakresu napięcia.

Moc rozpraszana 140W pozwala na zastosowanie tego tranzystora w systemach o średniej mocy, pod warunkiem zastosowania odpowiedniego radiator chłodzącego. Napięcie bramka-źródło ±30V daje dużą elastyczność w projektowaniu obwodów sterujących. Ładunek bramki wynoszący 22nC świadczy o szybkości przełączania charakterystycznej dla technologii QFET® — elementy te przełączają się szybciej niż starsze generacje MOSFETów, co zmniejsza straty dynamiczne i zmniejsza wymagania dotyczące chłodzenia. Obudowa TO220AB zapewnia łatwy montaż na drukowanej płytce obwodów oraz możliwość zastosowania radiatora chłodzącego.

Montaż THT (przez otwory) sprawdza się zarówno w prototypowaniu, jak i w produkcji seryjnej. Elementy dostarczane są w tubie, co ułatwia magazynowanie i zautomatyzowany montaż.

Przykłady zastosowań

FQP4N90C znajduje zastosowanie w:

• zasilaczach impulsowych (SMPS) pracujących z napięciem sieciowym 230V lub 110V
• konwerterach napięcia (boost, buck-boost) do systemów solarnych i akumulatorowych
• sterownikach mocy i urządzeniach do regulacji napięcia w systemach o średniej mocy
• obwodach ścieżek zasilających i zabezpieczeniach MOSFET
• przełącznikach wysokonapięciowych w urządzeniach przemysłowych i laboratoryjnych

Dla kogo?

Tranzystor przeznaczony jest dla konstruktorów zasilaczy, inżynierów projektujących obwody mocy, serwisantów urządzeń elektronicznych oraz zaawansowanych hobbystów zajmujących się elektorniką. Wymaga wiedzy technicznej — prawidłowe zastosowanie wymaga zrozumienia parametrów MOSFET, doboru sterownika bramki oraz projektowania obwodów ochrony. Nie jest produktem dla początkujących bez doświadczenia w elektronice mocy.

Specyfikacja techniczna

• Producent: ON Semiconductor
• Typ: N-MOSFET unipolarny
• Technologia: QFET®
• Napięcie dren-źródło (VDSS): 900V
• Prąd drenu (ID): 2,3A
• Moc rozpraszana (PD): 140W
• Rezystancja przewodzenia (RDS-on): 4,2Ω
• Napięcie bramka-źródło (VGS): ±30V
• Ładunek bramki (Qg): 22nC
• Obudowa: TO220AB
• Montaż: THT (przez otwory)
• Opakowanie: tuba
• Rodzaj kanału: wzbogacany (enhancement mode)

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.