Tranzystor AOD 2N60 N-MOSFET unipolarny 600V 1,4A 56,8W TO252

Tranzystor AOD 2N60 N-MOSFET do zadań wysokonapięciowych

Tranzystor AOD 2N60 to unipolarny tranzystor polowy N-MOSFET przeznaczony do pracy jako szybki klucz w układach przełączających. Dzięki napięciu dren-źródło 600V nadaje się do obwodów zasilanych bezpośrednio z sieci po wyprostowaniu, gdzie zwykłe tranzystory niskonapięciowe nie dają wystarczającego zapasu.

Prąd drenu 1,4A i moc 56,8W pozwalają obsłużyć typowe obciążenia w zasilaczach impulsowych i przetwornicach o średniej mocy. Sterowanie odbywa się napięciem na bramce, więc tranzystor nie pobiera ciągłego prądu sterującego, co upraszcza projekt układu sterowania.

Obudowa TO252 (DPAK) to wariant montażu powierzchniowego SMD. Element lutuje się bezpośrednio na płytce, a duża powierzchnia metalowego odprowadzenia pomaga oddawać ciepło do ścieżek miedzi na PCB.

Przykłady zastosowań

Tranzystor sprawdzi się jako klucz w zasilaczach impulsowych typu flyback, gdzie przełącza uzwojenie transformatora. Typowe zastosowania to także przetwornice DC-DC pracujące przy wyższych napięciach wejściowych oraz układy sterowania obciążeniem indukcyjnym, na przykład małymi silnikami lub cewkami przekaźników.

Dla kogo?

Element skierowany jest przede wszystkim do projektantów i serwisantów zasilaczy oraz zaawansowanych hobbystów budujących własne układy elektroniczne. Wymaga podstawowej wiedzy o tranzystorach MOSFET, w tym o sterowaniu bramką i zabezpieczeniach przed przepięciami, ponieważ przy napięciu 600V błędy w projekcie mogą prowadzić do uszkodzenia elementu.

Specyfikacja techniczna

• Typ: N-MOSFET unipolarny
• Oznaczenie: AOD 2N60
• Napięcie dren-źródło: 600V
• Prąd drenu: 1,4A
• Moc: 56,8W
• Obudowa: TO252 (DPAK), montaż SMD

Produkt zostal wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spelnia dotychczasowe ogolne wymagania bezpieczenstwa. Jest zgodny z dyrektywa 2001/95/W.