Tranzystor 2SK3565 N-MOSFET 900V 5A 45W TO220FP

Tranzystor MOSFET do aplikacji wysokonapięciowych — 2SK3565

Tranzystor polowy 2SK3565 to N-MOSFET unipolarne przeznaczony dla schematów wymagających pracy przy wysokim napięciu dren-źródło. Konstrukcja wzbogacana kanału zapewnia szybkie przełączanie i niskie straty przewodzenia, co czyni go idealnym wyborem do zasilaczy impulsowych, przetwornic napięcia i sterowników mocy pracujących w zakresie kilkuset woltów.

Parametry elektryczne tego tranzystora zostały zaprojektowane z myślą o wydajności termicznej. Rezystancja w stanie przewodzenia wynosi zaledwie 2Ω, co minimalizuje spadek napięcia i ciepło generowane w obwodzie. Przy maksymalnym prądzie drenu 5A i mocy rozpraszanej 45W tranzystor pracuje stabilnie, zwłaszcza gdy jest prawidłowo zamontowany na radiatorze. Napięcie bramka-źródło w zakresie ±30V zapewnia bezpieczną pracę i kompatybilność z różnymi obwodami sterowania.

Ładunek bramki wynoszący 28nC pozwala na szybkie przełączanie bez zbędnych opóźnień, co jest kluczowe w aplikacjach impulsowych. Obudowa TO220FP umożliwia łatwy montaż na radiator lub płytę drukowaną, a montaż THT (przez otwory) jest standardem w profesjonalnych i hobbystycznych projektach elektronicznych.

Przykłady zastosowań

Tranzystor 2SK3565 sprawdza się w zasilaczach impulsowych, gdzie musi przełączać wysokie napięcia przy kontrolowanym prądzie. Typowe zastosowania obejmują:

• Zasilacze impulsowe 12V, 24V i wyższych napięć w urządzeniach przemysłowych
• Przetwornice napięcia Step-Up i Step-Down pracujące w zakresie setek woltów
• Sterowniki mocy do lamp UV, LED o wysokim napięciu zasilania
• Obwody przełączające w urządzeniach spawalniczych i medycznych

Dla kogo?

Tranzystor ten skierowany jest do projektantów elektroniki, elektryków pracujących w serwisach zasilających, a także do zaawansowanych hobbyistów zajmujących się budową zasilaczy i przetwornic. Wymaga wiedzy na temat podstaw elektroniki mocy i poprawnego montażu na radiator w celu uniknięcia przegrzania. Nie jest to produkt dla początkujących bez doświadczenia w pracy z wysokonapięciowymi obwodami przełączającymi.

Specyfikacja techniczna

• Typ tranzystora: N-MOSFET unipolarny
• Napięcie dren-źródło (VDSS): 900V
• Prąd drenu (ID): 5A
• Moc rozpraszana (PD): 45W
• Rezystancja w stanie przewodzenia (RDS on): 2Ω
• Napięcie bramka-źródło (VGS): ±30V
• Ładunek bramki (Qg): 28nC
• Rodzaj kanału: wzbogacany
• Obudowa: TO220FP
• Montaż: THT (przez otwory)
• Rodzaj opakowania: tuba

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.