Pamięć SRAM MB84256A-70LL 256Kbit CMOS niskie napięcie

Pamięć SRAM do systemów zasilanych bateryjnie i urządzeń przenośnych

MB84256A-70LL to 256-kilobitowa pamięć statyczna (SRAM) wykonana w technologii CMOS. Została zaprojektowana z myślą o aplikacjach, gdzie liczy się zarówno szybkość dostępu do danych, jak i minimalne zużycie energii. Niska konsumpcja prądu w stanach czuwania i pracy czyni ją idealnym wyborem dla urządzeń zasilanych bateryjnie, gdzie każdy miliamp ma znaczenie.

Układ oferuje szybki czas dostępu i stabilne działanie w szerokiej temperaturze roboczej. Architektura 32K × 8 bit (32 tysiące lokacji po 8 bitów) zapewnia wystarczającą pojemność dla większości zastosowań wbudowanych. Pamięć SRAM zachowuje dane tak długo, jak zasilana jest energia — bez konieczności odświeżania, co wyróżnia ją od pamięci dynamicznej DRAM.

Zasilanie 5V czyni ją kompatybilną z większością systemów cyfrowych i mikrokontrolerów. Obudowa DIP-28 (28 nóżek) umożliwia montaż na płytce stykowej, w gnieździe DIP lub lutowanie do druku, co daje elastyczność podczas prototypowania i produkcji małych serii.

Przykłady zastosowań

MB84256A-70LL sprawdzi się w:

• Urządzeniach przenośnych zasilanych bateryjnie — zegarach, kalkulatorach, elektronicznych dziennikach
• Systemach wbudowanych wymagających szybkiego dostępu do danych tymczasowych — mikrokontrolerach, PLC, sterownikach
• Projektach prototypowych opartych na Arduino, Raspberry Pi lub innych platformach edukacyjnych
• Aplikacjach medycznych i pomiarowych, gdzie niezawodność i niskie zużycie energii są krytyczne
• Buforach pamięci w urządzeniach komunikacyjnych i sieciowych

Dla kogo?

Pamięć MB84256A-70LL adresowana jest do inżynierów, projektantów systemów wbudowanych i zaawansowanych hobbyistów elektroniki. Nie wymaga specjalnej wiedzy — wystarczy zrozumienie podstawowych schematów cyfrowych i umiejętność lutowania. Producenci małych serii mogą liczyć na niezawodność i dostępność tego sprawdzonego układu.

Specyfikacja techniczna

• Typ pamięci: SRAM (Static Random Access Memory)
• Pojemność: 256 kilobitów (256 Kbit)
• Organizacja: 32K × 8 bit (32 tysiące słów po 8 bitów)
• Technologia: CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)
• Zasilanie: 5V
• Charakterystyka: Niskie napięcie, niska konsumpcja prądu
• Obudowa: DIP-28 (28 nóżek, rozstaw 2,54 mm)
• Numer modelu: MB84256A-70LL
• Wariant -70LL: Oznacza szybkość dostępu i zakres temperaturowy zgodnie ze specyfikacją producenta

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.