MOSFET SI1905DL-T1-E3 dual P-channel 8V 570mA SC70-6

MOSFET SI1905DL — podwójny tranzystor polowy kanału P do sterowania niskonnapięciowych obciążeń

SI1905DL-T1-E3 to zintegrowany układ zawierający dwa niezależne tranzystory polowe typu MOSFET z kanałem P, dedykowany do aplikacji wymagających szybkiego przełączania małych obciążeń przy napięciach do 8V. Każdy kanał może przewodzić do 570 mA przy oporze kanału zaledwie 600 mΩ, co minimalizuje straty ciepła i umożliwia pracę przy małych mocach dysypacyjnych.

Produkt należy do serii TrenchFET firmy Vishay Siliconix — technologia znana z niskiego oporu wyjściowego i szybkiego przełączania. Napięcie progowe (Vgs(th)) wynoszące 450 mV przy prądzie 250 µA gwarantuje niezawodne sterowanie z logicznych poziomów napięcia, typowych w systemach 3,3V czy 5V. Ładunek bramki (Qg) wynoszący zaledwie 2,3 nC świadczy o niskich stratach przełączania — ważne w układach pracujących z dużymi częstotliwościami.

Maksymalna moc dysypacyjna 270 mW wymagająca odpowiedniej wentylacji lub osprzętu chłodzącego. Zakres temperatur pracy od -55°C do +150°C (temperatura złącza) pozwala na zastosowanie w warunkach ekstremalnych. Obudowa SMD SC70-6 (inaczej 6-TSSOP, SOT-363) jest standardem branżowym do montażu automatycznego na PCB.

Przykłady zastosowań

• Sterowanie małymi solenoidy, przekaźnikami i elektromagnesami w zasilaniu niskonnapięciowym
• Przełączanie obciążeń LED i diod w systemach oświetleniowych zasilanych 5V czy 8V
• Moduły zarządzania baterią i ładowania — przełączanie ścieżek zasilania
• Konwertery i przetwornice napięcia — wejście lub wyjście sterujące
• Aplikacje mobilne i przenośne wymagające minimalnych strat ciepła

Dla kogo?

MOSFET SI1905DL przeznaczony jest dla projektantów elektroniki, inżynierów zajmujących się elektroniką mocy, a także doświadczonych hobbyistów pracujących z Arduino, Raspberry Pi czy innymi platformami mikrokontrolerów. Wymaga podstawowej wiedzy na temat schematów elektronicznych i PCB — nie jest produktem dla początkujących bez doświadczenia w lutowaniu SMD.

Specyfikacja techniczna

• Typ: MOSFET Array, 2 kanały P-Channel (Dual), Logic Level Gate
• Napięcie drain-source (Vdss): 8V
• Maksymalny prąd ciągły drain (Id): 570 mA @ 25°C
• Opór kanału (Rds On): 600 mΩ @ 570 mA, Vgs 4,5V
• Napięcie progowe (Vgs(th)): 450 mV @ 250 µA (min)
• Ładunek bramki (Qg): 2,3 nC @ Vgs 4,5V
• Maksymalna moc dysypacyjna: 270 mW
• Zakres temperatur pracy: -55°C do +150°C (temperatura złącza TJ)
• Typ montażu: Surface Mount (SMD)
• Obudowa: SC70-6 (6-TSSOP, SOT-363)
• Seria: TrenchFET (Vishay Siliconix)
• Producent: Vishay Siliconix
• Status: Wycofany (Obsolete) — dostępne zamienniki: SI2301, SI2302

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.