MOSFET P1504EDG kanał P 40V 45A TO-252 bezołowiowy

Tranzystor MOSFET kanału P do zastosowań mocy

P1504EDG to tranzystor polowy typu MOSFET z kanałem P (P-channel), dedykowany do przełączania i sterowania przepływem prądu w obwodach zasilających. Parametry nominalne — napięcie 40V i maksymalny prąd drażniący 45A — czynią go uniwersalnym rozwiązaniem dla urządzeń pracujących w zakresie do 40 woltów. Oporność przejściowa RDS(ON) 15mΩ ogranicza straty energii podczas przełączania, co jest kluczowe dla wydajności termalnej i żywotności zasilacza lub sterownika.

Obudowa SMD TO-252 (oznaczana też jako SOT-252 lub DPAK) to kompromis między kompaktowością a możliwością skutecznego odprowadzenia ciepła. Tranzystor jest bezhalogenowy i bezołowiowy, co spełnia wymogi RoHS i ułatwia recykling. Maksymalna temperatura kanału 150°C i zakres przechowywania od -55°C do +150°C wskazują na odporność na zmienne warunki pracy.

Napięcie sterujące bramki (VGSS) wynosi ±20V, co daje elastyczność w projektowaniu obwodów sterujących. Dysypacja mocy 50W oznacza, że przy odpowiednim radiatorem tranzystor może pracować w obwodach o znacznym poborze energii bez przegrzewania się.

Przykłady zastosowań

P1504EDG sprawdza się w:

• Zasilaczach impulsowych i regulowanych do 40V, gdzie kanał P pełni rolę przełącznika wysokiego boku zasilania
• Sterownikach mocy do silników prądu stałego i urządzeń 12V/24V/36V
• Obwodach ochrony baterii i systemach zarządzania energią (battery management systems)
• Konwerterach napięcia i regulatorach liniowych wymagających przełączania strony zasilania
• Obwodach sygnalizacyjnych i przekaźnikach elektronicznych o wysokim poboru prądu

Dla kogo?

Produkt skierowany jest do projektantów elektroniki, serwisantów urządzeń zasilających, elektryków specjalizujących się w systemach 12V/24V/36V oraz hobbyistów budujących zasilacze laboratoryjne i sterowniki. Wymaga wiedzy z zakresu elektroniki mocy — montaż bezpośrednio do płytki drukowanej, konieczne właściwe sterowanie bramką i ewentualne użycie radiatora w zależności od warunków pracy.

Specyfikacja techniczna

• Typ: MOSFET kanału P (P-channel)
• Napięcie drain-source (V_BR_DSS): -40V
• Maksymalny prąd drażniący (ID): -45A
• Napięcie gate-source (VGSS): ±20V
• Opór przejściowy (RDS_ON): 15mΩ
• Dysypacja mocy (Pd): 50W
• Maksymalna temperatura kanału (Tch): 150°C
• Zakres temperatury przechowywania (Tstg): -55°C do +150°C
• Obudowa: TO-252 (SMD, DPAK)
• Normy: Bezhalogenowy, bezołowiowy (RoHS)

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.