MOSFET N-kanałowy 23N50E TO-3P 500V 23A tranzystor mocy

Tranzystor mocy MOSFET N-kanałowy do aplikacji wysokonapięciowych

MOSFET 23N50E to tranzystor mocy N-kanałowy przeznaczony do pracy w obwodach przełączających przy napięciach sięgających 500V. Dzięki prądowi drain 23A radzi sobie z obciążeniami wymagającymi szybkiego przełączania i dobrej zdolności dysypacji mocy. Obudowa TO-3P to klasyczny standard w elektronice zasilającej — łatwa do zamontowania na radiatorze i szeroko obsługiwana w schematach projektowych.

N-kanałowy typ MOSFET-a oznacza, że tranzystor przewodzi gdy na bramce jest dodatnie napięcie względem źródła — to najpopularniejsza konfiguracja w zasilaczach i sterownikach mocy. Napięcie przebicia (breakdown voltage) 500V daje znaczny margines bezpieczeństwa, co jest kluczowe w aplikacjach gdzie mogą pojawiać się piki napięcia czy uderz indukcyjne.

Złącze TO-3P składa się z trzech nóg: drain (odprowadzenie mocy), gate (bramka sterująca) i source (źródło). Rozstaw i kształt są standaryzowane, co oznacza że montaż zarówno na radiatorze jak i w drukowanym obwodzie jest bezproblemowy dla każdego, kto pracuje z elektronią zasilającą.

Przykłady zastosowań

Tranzystor 23N50E sprawdza się przede wszystkim w:

• Zasilaczach impulsowych 12V, 24V i wyższych napięć — jako przełącznik pierwotny lub wtórny
• Inwerterach i falownikach zamieniających prąd stały na zmienny
• Regulatorach napięcia i prądowych w systemach zasilania
• Obwodach przełączających obciążenia indukcyjne (silniki, cewki, elektromagnesy)
• Profesjonalnych układach elektroniki zasilającej u producentów i w serwisach

Dla kogo?

Produkt skierowany jest przede wszystkim do elektryków, serwisantów, konstruktorów urządzeń zasilających i osób zajmujących się profesjonalną elektroniką. Wymaga wiedzy na temat schematów elektronicznych, procedur montażu na radiatorze i podstaw teorii MOSFET-ów. Nie jest przeznaczony dla początkujących hobbyistów bez doświadczenia w elektronice mocy — wymaga przestrzegania warunków termicznych i ochrony przed przepięciami.

Specyfikacja techniczna

• Typ tranzystora: MOSFET N-kanałowy
• Model: 23N50E
• Obudowa: TO-3P
• Napięcie przebicia (V_DS): 500V
• Maksymalny prąd drain (I_D): 23A
• Liczba nóg: 3 (drain, gate, source)
• Typ złącza: Standardowe TO-3P do montażu na radiatorze

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.