MOSFET FQPF12N80 800V 12A N-kanałowy TO-220F

MOSFET N-kanałowy do zasilaczy i sterowania mocą

FQPF12N80 to tranzystor polowy (MOSFET) przeznaczony do zastosowań wymagających przełączania dużych napięć i prądów. Dzięki technologii DMOS (Double-Diffused MOS) oraz płaskiemu paskowaniu osiąga niską rezystancję w stanie włączenia, co minimalizuje straty ciepła i zwiększa efektywność całego urządzenia. Maksymalne napięcie między drenażem a źródłem wynosi 800V, a prąd ciągły na drenażu to 12A — parametry, które stawiają go w segmencie półprzewodników do wysokowydajnych aplikacji.

Produkt wyróżnia się doskonałą wytrzymałością na energię lawinową, co oznacza że może wytrzymać krótkotrwałe przepięcia bez zniszczenia. To szczególnie ważne w zasilaczach, gdzie mogą pojawiać się nieoczekiwane skoki napięcia. Obudowa TO-220F z trzema wyprowadzeniami (dren, brama, źródło) ułatwia montaż na radiatora i jest standardem w przemyśle.

Tranzystor pracuje w trybie wzmacniającym lub przełączającym — w zależności od napięcia przyłożonego na bramę kontroluje przepływ prądu między drażem a źródłem. Szybkie czasy przełączania sprawiają, że straty energetyczne są minimalne, a wydajność całego systemu maksymalna.

Przykłady zastosowań

• Zasilacze impulsowe (SMPS) do urządzeń przemysłowych i laboratoryjnych
• Aktywna korekcja współczynnika mocy (PFC — Power Factor Correction)
• Elektroniczne sterowniki lamp (balasty) w topologii półmostkowej
• Falowniki i regulatory napięcia do systemów zasilania awaryjnego
• Sterowniki silników i urządzenia do przełączania dużych obciążeń

Dla kogo?

FQPF12N80 jest skierowany do elektryków, inżynierów, serwisantów urządzeń elektronicznych oraz projektantów systemów zasilających. Wymagana jest podstawowa wiedza na temat elektroniki mocy i bezpiecznego montażu na radiatora — tranzystor dysypuje znaczną ilość ciepła przy pracy z pełnym prądem. Nie jest to element dla całkowitych początkujących, ale każdy z doświadczeniem w projektach elektronicznych może go bez problemu zastosować.

Specyfikacja techniczna

• Typ tranzystora: MOSFET N-kanałowy
• Model: FQPF12N80
• Technologia: DMOS (Double-Diffused MOS)
• Napięcie dren-źródło (Vdss): 800V
• Prąd ciągły dren (Id) @ 25°C: 12A
• Obudowa: TO-220F (3 wyprowadzenia: dren, brama, źródło)
• Seria: QFET® (FairChild Semiconductor)
• Charakterystyka: Niska rezystancja włączenia, wysoka wytrzymałość na energię lawinową, szybkie czasy przełączania

Produkt został wprowadzony do obrotu przed 13 grudnia 2024. Spełnia dotychczasowe ogólne wymagania bezpieczeństwa. Jest zgodny z dyrektywą 2001/95/W.