Wyszukiwarka
FQP8N90C MOSFET N 6.3A, 900V, RDS(on) 1.9om
0
Opis
| Technologia: | Si |
| Styl mocowania: | Through Hole |
| Opakowanie/obudowa: | TO-220-3 |
| Polaryzacja tranzystora: | N-Channel |
| Liczba kanałów: | 1 Channel |
| Vds – Napięcie przebicia dren–źródło: | 900 V |
| Id – Ciągły prąd drenu: | 6 A |
| Rds On – rezystancja dren–źródło: | 1.9 Ohms |
| Vgs – Napięcie bramka–źródło: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło: | 3 V |
| Qg – ładunek bramki: | 45 nC |
| Minimalna temperatura robocza: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 150 C |
| Pd – strata mocy: | 171 W |
| Tryb kanału: | Enhancement |
| Nazwa handlowa: | QFET |
| Seria: | FQP8N90C |
| Opakowanie: | Tube |
| Marka: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguracja: | Single |
| Czas zanikania: | 70 ns |
| Transkonduktancja przewodzenia – min.: | 5.5 S |
| Wysokość: | 16.3 mm |
| Długość: | 10.67 mm |
| Rodzaj produktu: | MOSFET |
| Czas narastania: | 110 ns |
| Wielkość opakowania producenta: | 1000 |
| Podkategoria: | MOSFETs |
| Rodzaj tranzystora: | 1 N-Channel |
| Rodzaj: | MOSFET |
| Typowy czas opóźnienia wyłączenia: | 70 ns |
| Typowy czas opóźnienia włączenia: | 40 ns |
| Szerokość: | 4.7 mm |
Koszty dostawy
Cena nie zawiera ewentualnych kosztów płatności
Opinie o produkcie (0)
O nas
TORES to sklep elektroniczny działający od 1997 roku, oferujący szeroki wybór produktów z zakresu elektroniki, automatyki, RTV, akcesoriów komputerowych oraz elementów elektronicznych. W naszej ofercie znajdują się między innymi zasilacze, anteny, routery, komponenty elektroniczne, akumulatory, lutownice, przewody, urządzenia pomiarowe i akcesoria serwisowe.
Oferta skierowana jest zarówno do klientów indywidualnych, jak i firm, serwisów elektronicznych, instalatorów oraz pasjonatów elektroniki. Zapewniamy konkurencyjne ceny, szybką realizację zamówień oraz profesjonalne wsparcie przy doborze produktów.