Menu

* tranzystory

IRGB14C40L; 20A; 400V; 125W; TO220; THT;

IRGB14C40L;   20A; 400V; 125W; TO220; THT;
IRGB14C40L; 20A; 400V; 125W; TO220; THT;
Tranzystor; IGBT; IRGB14C40L; 20A; 400V; 125W; TO220; THT;

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

18,00 zł

szt.

IRL540N; N-MOSFET 100V 36A

IRL540N;  N-MOSFET 100V 36A
IRL540N; N-MOSFET 100V 36A
Montaż tranzystora THT Obudowa tranzystora TO220 Polaryzacja tranzystora N-MOSFET Typ tranzystora Polowy Nazwa Tranzystor

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

6,50 zł

szt.

IRLB3034 N-MOSFET; unipolarny; 40V; 343A; 375W;

IRLB3034    N-MOSFET; unipolarny; 40V; 343A; 375W;
IRLB3034 N-MOSFET; unipolarny; 40V; 343A; 375W;
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 343A; 375W; TO220AB

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

14,00 zł

szt.

IRLB3034; N-MOSFET; 343A; 40V; 375W;

IRLB3034;  N-MOSFET; 343A; 40V; 375W;
IRLB3034; N-MOSFET; 343A; 40V; 375W;
Tranzystor; unipolarny; IRLB3034; N-MOSFET; 343A; 40V; 375W; 1,7mOhm; TO220; przewlekany (THT);

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

6,50 zł

szt.

IRLR8726 ; N-MOSFET; 86A; 30V; 75W; 5,8mOhm; DPAK

IRLR8726 ;  N-MOSFET; 86A; 30V; 75W; 5,8mOhm; DPAK
IRLR8726 ; N-MOSFET; 86A; 30V; 75W; 5,8mOhm; DPAK
N-MOSFET; 86A; 30V; 75W; 5,8mOhm; DPAK (TO252); powierzchniowy (SMD)

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

2,50 zł

szt.

IRLR8726 TRPBF: N-MOSFET;30V; 61A

IRLR8726 TRPBF: N-MOSFET;30V; 61A
IRLR8726 TRPBF: N-MOSFET;30V; 61A
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 61A

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

15,00 zł

szt.

IRLR8743 ; N-MOSFET; 160A; 30V; 135W, DPAK (TO252)

IRLR8743 ; N-MOSFET; 160A; 30V; 135W, DPAK (TO252)
IRLR8743 ; N-MOSFET; 160A; 30V; 135W, DPAK (TO252)
N-MOSFET; 160A; 30V; 135W; 3,1mOhm; DPAK (TO252); powierzchniowy (SMD)

Dostępność: średnia ilość

Cena:

7,80 zł

szt.

IXFH11N80 HiPerFET Power MOSFETs 13 A, 800 V,

IXFH11N80  HiPerFET Power MOSFETs 13 A, 800 V,
IXFH11N80 HiPerFET Power MOSFETs 13 A, 800 V,
HiPerFET Power MOSFETs 13 A, 800 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

19,00 zł

szt.

IXFH50N20 N-MOSFET; unipolarny; 200V; 50A; 298W;

IXFH50N20  N-MOSFET; unipolarny; 200V; 50A; 298W;
IXFH50N20 N-MOSFET; unipolarny; 200V; 50A; 298W;
Tranzystor IXFH50N20, z obudową TO-3PN, charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 200V oraz prądem drenu ID do 50A.

Dostępność: średnia ilość

Cena:

39,00 zł

szt.

IXFM50N20 MOSFET 200V 50A

IXFM50N20  MOSFET 200V 50A
IXFM50N20 MOSFET 200V 50A
Rds On – rezystancja dren–źródło:45 mOhms Vgs – Napięcie bramka–źródło:20 V Opakowanie/obudowa:TO-204AE-3 Liczba kanałów:1 Channel Polaryzacja tranzystora:N-Channel Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:200 V Id – Ciągły prąd drenu:50 A

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

48,00 zł

szt.

IXGH30N60B ; 60A 600V TO-247 IGBT

IXGH30N60B ; 60A 600V TO-247 IGBT
IXGH30N60B ; 60A 600V TO-247 IGBT

Dostępność: duża ilość

Cena:

48,00 zł

szt.

IXGH60N30C3; IGBT 300V; 60A; 300W; TO247-3

IXGH60N30C3; IGBT 300V; 60A; 300W; TO247-3
IXGH60N30C3; IGBT 300V; 60A; 300W; TO247-3
Type of transistor. IGBT ; Technology. GenX3™, PT ; Collector-emitter voltage. 300V ; Collector current. 60A. Tranzystor: IGBT; GenX3™; 300V; 60A; 300W; TO247-3

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

15,00 zł

szt.

J112; 5mA 350mW N-JFET UNIPOLARNY

J112; 5mA 350mW  N-JFET UNIPOLARNY
J112; 5mA 350mW N-JFET UNIPOLARNY
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 5mA; 350mW; TO92; Igt: 50mA

Dostępność: duża ilość

Cena:

1,30 zł

szt.

J117 TRANSISTOR ; FET TO-220 V-MOS,400V,2A,40W

J117  TRANSISTOR ; FET TO-220 V-MOS,400V,2A,40W
J117 TRANSISTOR ; FET TO-220 V-MOS,400V,2A,40W
2SJ117 HITACHI / OTHERS FET TO-220 V-MOS,400V,2A,40W,<7Ohm(1A),35/80ns

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

32,00 zł

szt.

J50G; (MJD50T4G) TO-252 400V 1A tranzystor SMD

J50G; (MJD50T4G) TO-252 400V 1A tranzystor SMD
J50G; (MJD50T4G) TO-252 400V 1A tranzystor SMD
Cechy tranzystora polowego z trybem wzbogacania kanału N: - Niska rezystancja włączenia - Niskie napięcie progowe bramki - Niska pojemność wejściowa - Niska pojemność wyjściowa

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

12,00 zł

szt.

J6920A; bipolar NPN 1700V 20A

J6920A; bipolar NPN 1700V 20A
J6920A; bipolar NPN 1700V 20A
Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Breakdown Voltage- : VCBO= 1700V (Min) ·Low Saturation Voltage- : VCE(sat) = 3V (Max) ·High Switch

Dostępność: na wyczerpaniu

Cena:

17,00 zł

szt.

JMSH1008AE-13; 100V 6.8mW N-Ch Power MOSFET

JMSH1008AE-13; 100V 6.8mW N-Ch Power MOSFET
JMSH1008AE-13; 100V 6.8mW N-Ch Power MOSFET
Tranzystor JMSH1008AE-13; 100V 6.8mW N-Ch Power MOSFET

Dostępność: średnia ilość

Cena:

6,00 zł

szt.
O nas

TORES to sklep elektroniczny działający od 1997 roku, oferujący szeroki wybór produktów z zakresu elektroniki, automatyki, RTV, akcesoriów komputerowych oraz elementów elektronicznych. W naszej ofercie znajdują się między innymi zasilacze, anteny, routery, komponenty elektroniczne, akumulatory, lutownice, przewody, urządzenia pomiarowe i akcesoria serwisowe.

Oferta skierowana jest zarówno do klientów indywidualnych, jak i firm, serwisów elektronicznych, instalatorów oraz pasjonatów elektroniki. Zapewniamy konkurencyjne ceny, szybką realizację zamówień oraz profesjonalne wsparcie przy doborze produktów.


 

do góry
Sklep jest w trybie podglądu
Pokaż pełną wersję strony
Sklep internetowy Shoper.pl